近日,151amjs澳金沙门光伏课题组李志强博士在硒化锑(Sb2Se3)薄膜太阳电池研究方面取得了新进展,相关研究成果“Conduction Band Energy-level Engineering for Improving Open-circuit Voltage in Antimony Selenide Nanorod Array Solar Cells”6月11日发表在Advanced Science, 2021, 2100868,硕士生刘涛为第一作者,李志强博士为通讯作者。
在该研究中,通过水热法用高压反应釜制备硫化铟(In2S3)纳米片,并将In2S3嵌入在Sb2Se3与CdS之间作为缓冲层,来改善Sb2Se3/缓冲层界面,制备Sb2Se3/In2S3-CdS复合缓冲层硒化锑太阳电池。其中In2S3-CdS复合缓冲层实现了对Sb2Se3纳米棒的良好包覆,能带分析表明,In2S3-CdS复合缓冲层在异质结界面处建立了一个“Spike”状梯度导带能级结构,有效的减少了器件在界面处的载流子复合,提升了光生电子的传输及收集。
以上工作得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金、河北省自然科学基金、高等学校科学技术研究项目支持。
文章链接: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/advs.202100868